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DB4 PDF预览

DB4

更新时间： 2024-01-18 22:10:46
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美微科 - MCC 数据判读及分析中心
页数 文件大小 规格书
3页 397K
描述
SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

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DB4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：DO-35G, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.53
Is Samacsys：N最大转折电压：45 V
最小转折电压：35 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：DIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：DIACBase Number Matches：1

DB4 数据手册

 浏览型号DB4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DB4的Datasheet PDF文件第3页 
DB3/DC34  
AND  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
DB4/DB6  
Features  
SILICON  
BIDIRECTIONAL  
DIAC  
l
The three layer, two terminal, axial lead, hermetically sealed  
diacs are designed specifically for triggering thyristors.  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
l
These diacs are intended for use in thyrisitors phase control ,  
circuits for lamp dimming, universal motor speed control ,and  
DO-35G  
Type number is marked.  
heat control.  
Maximum Ratings  
l
Operating Temperature: -40oC to +110oC  
Storage Temperature: -40oC to +125oC  
l
Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified  
D
A
Power dissipation  
on Printed  
Circuit(l=10mm)  
PC  
150mW  
TA=50oC  
Repetitive Peak  
on-state Current  
DB3,DC34,DB4  
DB6  
Breakover Voltage  
DB3  
DC34  
DB4  
DB6  
B
ITRM  
2.0A  
16A  
D
tp=10us,f=100Hz  
C=22nF(Note 3)  
Min Typ Max  
28 32 36V  
30 34 38V  
35 40 45V  
56 60 70V  
C
VBO  
Breakover Voltage  
Symmetry  
DB3, DC34, DB4  
DB6  
|+VBO|  
-|-VBO|  
C=22nF(Note 3)  
±3V  
±4V  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
1.083  
MM  
Output  
Voltage(Note 2)  
Breakover  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.150  
.079  
.020  
---  
MIN  
---  
---  
---  
27.50  
MAX  
3.8  
2.00  
.52  
NOTE  
Vo(min)  
5V  
---  
IBO(max)  
Tr  
100uA  
1.5us  
10uA  
C=22nF  
Current(Note 2)  
Rise Time(Note 2)  
Leakage  
Current(Note 2)  
IB(max)  
VB=0.5VBO(max)  
Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.  
2. Electrical characteristics applicable in both forward and  
reverse directions.  
3. Connected in parallel with the devices.  
www.mccsemi.com  
Revision: 6  
2008/02/01  
1 of 3  
123

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