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DB103S

更新时间： 2024-02-27 14:49:15

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威伦 - WILLAS		二极管
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2页	281K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER

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DB103S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDIP-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.58	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDIP-W4	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DB103S 数据手册

DB101S

THRU

WILLAS

DB107S

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED

SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere

FEATURES

* Surge overload rating - 50 amperes peak

* Ideal for printed circuit board

* Reliable low cost construction utilizing molded

* Glass passivated device

* Polarity symbols molded on body

* Mounting position: Any

DB-S

* Weight: 0. 378 grams

* RoHS product for packing code suffix "G"

Halogen free product for packing code suffix "H"

(

)

.310 7.9

(

.290 7.4

(

)

.255 6.5

(

.245 6.2

MECHANICAL DATA

Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0

.009

(.229)

* UL listed the recognized component directory, file #E195711

(

)

.013 .330

(

.003 .076

(

)

.042 1.1

(

.410 10.4

(

.038 1.0

(

)

.360 9.4

(

)

.060 1.524

(

)

.040 1.016

(8.51)

.335

(8.00)

.315

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

(

)

.134 3.4

(

.091 2.3

(

)

.205 5.2

(

.195 5.0

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (At TA = 25℃ unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

SYMBOL

V_RRM

V_RMS

V_DC

DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S

UNITS

Volts

Amps

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

100

1000

Maximum Average Forward Output Current at TA = 40℃

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC method)

I_O

IFSM

Amps

A²S

Rating for fusing （t<8.3ms）

I²t

6.6

Typical Thermal Resistance

R θ JA

R θ _JL

R θ _JC

T_J,T_STG

℃/W

(Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

-55 to + 150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA = 25℃ unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

V_F

DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S

1.1

UNITS

Volts

Element at 1.0A DC Maximum Forward Voltage Drop per Bridge

@TA = 25℃

@TA = 125℃

uAmps

mAmps

Maximum Reverse Current at rated

DC Blocking Voltage per element

I_R

0.5

NOTE: 1.Suffix “-s” Surface Mount for Dip Bridge.

2.Units mounted on P.C.B.with 0.5x0.5” (13x13mm) copper pads.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DB103SP-G	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
DB103SP-HF	COMCHIP	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
DB103-SPT	CHENMKO	获取价格	SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
DB103S-T	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S,
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