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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> DB103S-T
DB103S-T PDF预览

DB103S-T

更新时间： 2024-02-10 22:58:49
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S, 4 PIN

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DB103S-T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDIP-W4最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DB103S-T 数据手册

 浏览型号DB103S-T的Datasheet PDF文件第2页 
DB101  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
DB107  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Good for automation insertion  
* Surge overload rating - 50 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
DB-1  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
FEATURES  
.255 6.5  
(
)
.245 6.2  
*
Epoxy : UL flammability classification 94V-0  
(
)
)
.350 8.9  
*
UL listed under the recognized component directory, file #E94233.  
(
.300 7.6  
(8.51)  
(8.12)  
.335  
.320  
(
)
.135 3.4  
(
)
.115 2.9  
(
)
)
.165 4.2  
.020  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
.155 3.9  
(
)
0.5  
.060  
(
)
)
.205 5.2  
(
)
1.5  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
DB101  
50  
DB102  
100  
DB103  
200  
DB104  
400  
DB105  
600  
DB106  
800  
DB107 UNITS  
V
RRM  
RMS  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
50  
100  
200  
400  
1.0  
600  
800  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
= 40oC  
I
O
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
50  
Amps  
0 C  
T
J,  
T
STG  
-65 to + 150  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
DB101  
DB102  
DB103  
DB104  
1.1  
DB105  
DB106  
DB107 UNITS  
Volts  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 1.0A DC  
V
F
uAmps  
mAmps  
1998-8  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
10.0  
0.5  
I
R
@T  
12

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