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DAP801

更新时间: 2024-11-12 22:29:19
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德欧泰克 - DIOTEC 信号二极管
页数 文件大小 规格书
2页 140K
描述
Small Signal Diode Arrays

DAP801 数据手册

 浏览型号DAP801的Datasheet PDF文件第2页 
DAN 801 / DAP 801 (200 mW)  
Dioden Sätze mit Allzweckdioden  
Small Signal Diode Arrays  
Nominal power dissipation  
Nenn-Verlustleistung  
200 mW  
80 V  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
9 Pin-Plastic case  
24 x 3.5 x 6.6 [mm]  
9 Pin-Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Standard packaging: bulk  
0.6 g  
see page 22  
Standard Lieferform: lose im Karton  
s. Seite 22  
Dimensions / Maße in mm  
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden  
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
VRRM [V]  
DAN 801  
DAP 801  
80  
80  
80  
80  
Max. average forward rectified current, R-load,  
for one diode operation only  
TA = 25C  
TU = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFAV  
100 mA 1)  
25 mA 1)  
per diode for simultaneous operation  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,  
für eine einzelne Diode  
IFAV  
IFAV  
100 mA 1)  
25 mA 1)  
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
IFSM  
500 mA  
1
)
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case  
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten  
364  
28.02.2002  

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