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DAP803

更新时间: 2024-09-24 23:14:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
2页 161K
描述
Silicon rectifiers arrays

DAP803 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-P9针数:9
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
配置:COMMON ANODE, 8 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-P9JESD-609代码:e2
元件数量:8端子数量:9
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向电流:0.025 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
反向测试电压:20 V子类别:Other Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DAP803 数据手册

 浏览型号DAP803的Datasheet PDF文件第2页 
DAN 803, DAP 803 (200mW) ...  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Values  
Units  
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DAN 803, DAP 803 (200mW)  
Forward Current: 0,1 A  
Reverse Voltage: 80 to / V  
Publish Data  
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Features  
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Characteristics  
Mechanical Data  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
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4
3+0  
Dimensions in mm  
ꢙ/  
 4 .ꢚꢏ+'  4 ꢙ5   
3
+
1
04-04-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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