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D658S10

更新时间： 2024-11-21 09:54:23

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EUPEC		二极管
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描述
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

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D658S10 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	25750 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	900 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	4.5 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

D658S10 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 658 S 10...14

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

1000

1200

1400

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

1100

1300

1500

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1400

T_C=100°C

T_C=71°C

Dauergrenzstrom

658

900

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

12200

10100

25750

21300

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

744200 A²s

510050 A²s

331530 A²s

226850 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

0,45

2,9

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=2700A

t_fr

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

20 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

285

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

4,5

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 17.02.87

Seite/page 1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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