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D658S12

更新时间： 2024-11-21 20:04:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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5页	64K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1200V V(RRM), Silicon,

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D658S12 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	Base Number Matches：	1

D658S12 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 658 S 10...14

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

1000

1200

1400

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

1100

1300

1500

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1400

T_C=100°C

T_C=71°C

Dauergrenzstrom

658

900

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

12200

10100

25750

21300

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

744200 A²s

510050 A²s

331530 A²s

226850 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

0,45

2,9

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=2700A

t_fr

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

20 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

285

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

4,5

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 17.02.87

Seite/page 1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D658S13	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D658S14	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1400V V(RRM), Silicon,
D658S14SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D-659-0001	PANDUIT	获取价格	MTC CONNECTOR WAFER REMOVAL TOOL NO. D659-0001
D-659-0026	PANDUIT	获取价格	SOLDER SLEEVE SHIELD TERMINATOR
D659S14SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D65A000-16300TB-G	DBLECTRO	获取价格	Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 65MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN
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