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D65H2

更新时间： 2024-11-21 03:28:27

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2页	52K
描述
PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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D65H2 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

D65H2 数据手册

UTCD65H2

PNPEXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PNP EXPITAXIAL SILICON

TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC D65H2 is a general purpose power application

and switching.

FEATURE

*Low Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)=-1v(MAX)@-15A

*Fast Switching Speeds

TO-220

1:BASE 2:COLLECTOR 3:EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C)

PARAMETER

Collector to Emitter Voltage

Emitter To Base Voltage

Collector Current(DC)

SYMBOL

VCEO

VEBO

VALUE

-30

-5

UNIT

-15

Collector Current(Pulse)

Collector Dissipation(Tc=25°C)

Collector Dissipation(Ta=25°C)

Junction Temperature

-25

1.67

150

-55 ~ +150

°C

Storage Temperature

Tstg

*PW<=10mS,Duty Cycle<=50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS^(Ta=25°C)

PARAMETER

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff current

Collector Emitter Saturation

Voltage

SYMBOL

ICES

TEST CONDITIONS

MIN

100

TYP MAX UNIT

VCE=Rated ; VCEO,VEB=0

VEB=-5V,Ic=0

IC=-10A,IB=-0.1A

-10

0.6

µA

IEBO

VCE(SAT)

Base Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Turn On Time

VBE(SAT)

hFE1

CCB

ton

IC=-10A,IB=-1A

IC=-10A,VCE=-1V

VCE=-10V,IC=-0.5A

VCB=-10V,f=1MHZ

Ic=-5A,IB=-0.5A

IB=-0.5A

-1.5

MHZ

350

150

600

120

Storage Time

tstg

Fall Time

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R203-002,A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D65ZOV102RA360	ETC	获取价格
D65ZOV211RA110	ETC	获取价格
D65ZOV231RA115	ETC	获取价格
D65ZOV251RA130	ETC	获取价格
D65ZOV271RA140	ETC	获取价格
D65ZOV301RA150	ETC	获取价格
D65ZOV321RA160	ETC	获取价格
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