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D648S10SEITE1BIS5

更新时间： 2024-11-08 23:46:07

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 648 S 06...10

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

600

800

1000

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

700

900

non-repetitive peak reverse voltage

1100

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1400

T_C=100°C

T_C=70°C

Dauergrenzstrom

648

900

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

12200

10100

24940

20650

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

744200 A²s

510050 A²s

311000 A²s

213200 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,27

1,05

0,43

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=2700A

t_fr

4,7

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

20 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

112

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

2,15

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 17.02.87

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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D649S06	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D649S06T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 600V V(RRM), Silicon,
D649S08	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 800V V(RRM), Silicon,
D649S08T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 800V V(RRM), Silicon,
D649S10	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1000V V(RRM), Silicon,
D649S10SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D649S10T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1000V V(RRM), Silicon,
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