Datasheet > D649S06T

D649S06T

更新时间： 2024-11-07 06:39:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
5页	68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 600V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D649S06T 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 649 S 08...10

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

600

800

1000

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

700

900

non-repetitive peak reverse voltage

1100

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

1400

T_C=100°C

T_C=96°C

T_C=63°C

Dauergrenzstrom

I_FAVM

610

650

900

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

I_FSM

12200

10100

24940

20650

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

744200 A²s

510050 A²s

311000 A²s

213200 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,27

1,05

0,43

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=2700A

t_fr

4,7

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

20 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

112

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

2,15

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 09.02.87

Seite/page 1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与D649S06T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D649S08	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 800V V(RRM), Silicon,
D649S08T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 800V V(RRM), Silicon,
D649S10	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1000V V(RRM), Silicon,
D649S10SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D649S10T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 1000V V(RRM), Silicon,
D649S8T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 900A, 800V V(RRM), Silicon,
D64BP	FREQUENCYDEVICES	获取价格	Fixed Frequency 2-Pole Pair Filters
D64BP2	FREQUENCYDEVICES	获取价格	Fixed Frequency 2-Pole Pair Filters
D64BP2/1	FREQUENCYDEVICES	获取价格	Fixed Frequency 2-Pole Pair Filters
D64BP2/10	FREQUENCYDEVICES	获取价格	Fixed Frequency 2-Pole Pair Filters

与D649S06T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D649S06T

D649S06T 数据手册

与D649S06T相关器件

与D649S06T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D649S06T

D649S06T 数据手册

与D649S06T相关器件

与D649S06T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？