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D45H2A

更新时间： 2024-11-05 22:40:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 34K
描述
PNP Power Amplifier

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D45H2A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.4
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：65
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：25 MHz
Base Number Matches：1

D45H2A 数据手册

 浏览型号D45H2A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号D45H2A的Datasheet PDF文件第3页 
D45H2A  
PNP Power Amplifier  
•
This device is designed for power amplifier, regulator and switching  
circuits where speed is important.  
•
Sourced from process 5Q.  
TO-220  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
V
A
CEO  
I
- Continuous  
8.0  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
°C  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
= 100mA, IB = 0  
C
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
30  
V
(BR)CEO  
CBO  
I
I
V
V
= 60V, IE = 0  
= 5V, IC = 0  
10  
µA  
µA  
CB  
EB  
Emitter Cut-off Current  
100  
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= 5V, I = 8A  
100  
80  
65  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 10A  
C
= 5V, I = 12A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 8A, I = 0.4A  
1
V
V
CE  
C
C
B
= 8A, I = 0.8A  
1.5  
BE  
B
Small Signal Characteristics  
Current Gain Bandwidth Product  
f
V
= 10V, I = 500mA  
25  
MHz  
T
CE  
C
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
60  
W
D
Derate above 25°C  
480  
mW/°C  
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.1  
°C/W  
θJC  
θJA  
62.5  
°C/W  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, February 2002  
123

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D45H2A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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