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D44H11FP

更新时间： 2024-01-29 03:59:47

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	177K
描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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D44H11FP 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	50 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

D44H11FP 数据手册

Spec. No. : C606FP

Issued Date : 2005.03.29

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/4

D^Low4^Vc4^esaH^{t NP}1^N1^EpF^itaxP^{ial Planar Transistor}

Features

• Low VCE(sat)

• High BVCEO

• Excellent current gain characteristics

• Pb-free package

Symbol

Outline

D44H11FP

TO-220FP

B：Base

C：Collector

E：Emitter

B C E

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation @ TA=25℃

Power Dissipation @ TC=25℃

ICP

20 (Note 1)

P^D

RθJA

RθJC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

Junction Temperature

62.5

2.5

150

°C/W

°C

Storage Temperature

Tstg

-55~+150

°C

≦

Note : 1. Single Pulse , Pw 380µs,Duty 2%.

D44H11FP

CYStek Product Specification

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D44H11G	ONSEMI	Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
D44H11J3	CYSTEKEC	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor	获取价格
D44H11J69Z	TI	NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN	获取价格
D44H11L	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
D44H11N	MOTOROLA	10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
D44H11T	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格