5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-202AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D40E7-TYPE32 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202AB |
|
| D40EN | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-202-2, 3 PIN |
|
| D40FF08 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 800V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
|
| D40FF10 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 1000V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
|
| D40FF10R | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DIE-2 |
|
| D40H320-17306AFB-G | DBLECTRO |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 40.32MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE WELDED, HC |
|
| D40K | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
|
| D40K1 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
|
| D40K1 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 30V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-202 Box |
|
| D40K1-TYPE1 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202AB, Plasti |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
