5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST | 标称电路换相断开时间： | 200 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 2110 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 100000 µA | 断态重复峰值电压： | 2100 V |
| 重复峰值反向电压： | 1680 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D315CH21E2D9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1890V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E2DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1672.05A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G1 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 210V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 420V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 630V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G4 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110 A, 2100 V, SCR |
|
| D315CH21E4G8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1680V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1890V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4GO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110 A, 2100 V, SCR |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
