5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D315CH21E4G2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 420V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 630V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G4 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110 A, 2100 V, SCR |
|
| D315CH21E4G8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1680V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4G9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 1890V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E4GO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110 A, 2100 V, SCR |
|
| D315CH21E6H0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,2.1KV V(DRM),1.8KA I(T),TO-200A |
|
| D315CH21E6H1 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 210V V(RRM), 1 Element |
|
| D315CH21E6H2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2110 A, 2100 V, SCR |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
