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D2081UK

更新时间： 2024-01-01 21:08:48

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SEME-LAB		射频
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3页	29K
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METAL GATE RF SILICON FET

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D2081UK 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.29
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.5 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	11 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

D2081UK 数据手册

TetraFET

D2081UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm.

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

0.32

0.24

750mW – 12V – 1GHz

SINGLE ENDED

0.10

0.02

16˚

max.

13˚

1.70

m ax.

FEATURES

10˚

max.

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

6.7

6.3

3.1

2.9

• LOW C

rss

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE (Typical < 2dB NF)

• HIGH GAIN – 11dB MINIMUM

• SURFACE MOUNT

3.7 7.3

3.3 6.7

1.05

0.85

0.80

0.60

APPLICATIONS

2.30

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

4.60

from DC to 2.5 GHz

SOT–223

PIN 1

PIN 3

GATE

PIN 2

PIN 4

DRAIN

SOURCE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

65V

Drain – Source Breakdown Voltage

Gate – Source Breakdown Voltage

Drain Current

DSS

±20V

GSS

200mA

–65 to 125°C

150°C

D(sat)

Storage Temperature

stg

Maximum Operating Junction Temperature

Prelim. 5/96

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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