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D2003UK

更新时间： 2024-01-29 07:53:32

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SEME-LAB		射频
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4页	63K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2003UK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CERAMIC, DQ, 5 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
JESD-609代码：	e4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

D2003UK 数据手册

TetraFET

D2003UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

5W – 28V – 1GHz

PUSH–PULL

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• VERY LOW C

PIN 1

PIN 3

PIN 5

SOURCE (COMMON) PIN 2

DRAIN 1

GATE 2

rss

DRAIN 2

GATE 1

PIN 4

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

16.38

1.52

45°

6.35

3.30

14.22

Tol.

Inches

Tol.

0.010

0.005

5°

0.005

• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM

0.26

0.13

5°

0.13

0.645

0.060

45°

0.250

0.130

0.560

APPLICATIONS

1.27 x 45° 0.13 0.05 x 45° 0.005

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 50 MHz to 1 GHz

1.52

6.35

0.13

2.16

1.52

5.08

18.90

0.13

0.02

0.13

MAX

0.13

0.060

0.250

0.005

0.085

0.060

0.200

0.744

0.005

0.001

0.005

MAX

0.005

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

35W

Drain – Source Breakdown Voltage *

Gate – Source Breakdown Voltage *

Drain Current *

65V

±20V

DSS

GSS

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

* Per Side

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.01/01

12 3 4

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