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D2008UK

更新时间: 2024-01-29 19:33:25
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SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

D2008UK 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.09其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):2 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e4
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:GOLD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

D2008UK 数据手册

 浏览型号D2008UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2008UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
8.89 (0.35)  
9.40 (0.37)  
7.75 (0.305)  
8.51 (0.335)  
4.19 (0.165)  
4.95 (0.195)  
5W – 28V – 400MHz  
SINGLE ENDED  
0.89  
(0.035)  
max.  
12.70  
(0.500)  
min.  
7.75 (0.305)  
8.51 (0.335)  
dia.  
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
5.08 (0.200)  
typ.  
• SUITABLE FOR BROAD BAND  
APPLICATIONS  
2.54  
2
• LOW C  
(0.100)  
rss  
1
3
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
0.66 (0.026)  
1.14 (0.045)  
0.71 (0.028)  
0.86 (0.034)  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
45˚  
TO-39 PACKAGE  
PIN1 – DRAIN  
PIN2 – GATE  
PIN3 – SOURCE  
APPLICATIONS  
VHF COMMUNICATIONS  
from DC to 400MHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
29W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
65V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
2A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Prelim. 3/97  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  

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