是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.09 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 65 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
D2009UK | SEME-LAB | ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET |
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D2009UK | TTELEC | Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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D200E | MPD | Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
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D200ED | MPD | Very Low Cost, 2W SIP Dual Isolated Output DC/DC Converters |
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D200EI | MPD | Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters |
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D200ERU | MPD | Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters |
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