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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D2008 | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D-200-82 | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
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| D-200-82-ND | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
|
| D-200-83 | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
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| D-200-83-ND | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
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| D-200-84 | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
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| D-200-84-ND | PANDUIT |
获取价格 |
IN-LINE SPLICE SEALING SYSTEM, 1 TO 1 NICKEL PLATED CRIMP, 200deg.C |
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| D2008UK | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2008UK | TTELEC |
获取价格 |
OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D2009UK | SEME-LAB |
获取价格 |
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET |
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