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D1027UK

更新时间： 2024-11-16 14:54:15
品牌 Logo 应用领域
TTELEC /
页数 文件大小 规格书
8页 143K
描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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D1027UK 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC, DR, 5 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
JESD-609代码：e4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D1027UK 数据手册

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TetraFET  
D1027UK  
ROHS COMPLIANT  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
B
G
(typ)  
C
(2 pls)  
2
3
4
1
P
150W – 28V – 175MHz  
PUSH–PULL  
(2 pls)  
H
D
A
5
E
(4 pls)  
F
I
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
N
M
O
J
K
DR  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON)  
PIN 2  
PIN 4  
DRAIN 1  
GATE 2  
• LOW C  
rss  
DRAIN 2  
GATE 1  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM Millimetres Tol.  
Inches  
0.75  
0.424  
45°  
Tol.  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
19.05  
10.77  
45°  
9.78  
5.71  
27.94  
1.52R  
10.16  
22.22  
0.13  
0.50  
0.13  
5°  
0.020  
0.005  
5°  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
MAX  
0.02  
0.13  
0.13  
0.50  
0.13  
0.08  
0.385  
0.225  
1.100  
0.060R  
0.400  
0.875  
0.005  
0.107  
0.067  
0.200  
1.340  
0.064R  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
MAX  
0.001  
0.005  
0.005  
0.020  
0.005  
0.003  
APPLICATIONS  
J
• VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 200 MHz  
K
M
N
O
P
2.72  
1.70  
5.08  
34.03  
1.61R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
438W  
70V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage*  
Drain Current*  
DSS  
GSS  
±20V  
I
30A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
* Per Side  
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
Document Number 2600  
E-mail: sales@semelab.co.uk  
Website: http://www.semelab.co.uk  
Issue 3  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D1028 SEME-LAB

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 		METAL GATE RF SILICON FET
D10-28 ASI

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 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
D102801FP0 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 2800ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D102802FP0 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 28000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D102802FP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 28000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D102803FP0 VISHAY

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 		暂无描述
D102803FP0-E3 VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 280000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D102803FP0-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 280000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D102804FP0-PB VISHAY

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 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 2800000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHI
D102870FP0 VISHAY

获取价格

 		RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 287ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP

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