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D1029N26T

更新时间： 2024-02-24 20:31:58

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	77K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1300A, 2600V V(RRM), Silicon,

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D1029N26T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	POWER
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	14500 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最大输出电流：	1300 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden

Power Rectifier Diodes

D 1029 N

ø36

Kathode

Cathode

Anode

ø36

ø3,5^+0,1x 3,5 tief / depth

beidseitig / on both sides

VWK July 1996

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D1029R4FP0-E3	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 29.4ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1029R4FP0-PB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 29.4ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP
D1029UK	SEME-LAB	获取价格	METAL GATE RF SILICON FET
D1029UK	TTELEC	获取价格	Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D102A	ETC	获取价格	COMMON ANODE DIODE ARRAY\|SIP
D102C	ETC	获取价格	COMMON CATHODE DIODE ARRAY\|SIP
D10-2C	TTELEC	获取价格	DIODE NETWORKS D SERIES
D102E	MPD	获取价格	Low Cost, 1W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters
D102ED	MPD	获取价格	Very Low Cost, 1W SIP Dual Isolated Output DC/DC Converters
D102EDN	MPD	获取价格	Analog Circuit