5秒后页面跳转
D1020UK PDF预览

D1020UK

更新时间: 2024-11-14 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 246K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

D1020UK 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数:5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.11
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:70 V最大漏极电流 (ID):25 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4JESD-609代码:e4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

D1020UK 数据手册

 浏览型号D1020UK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号D1020UK的Datasheet PDF文件第3页浏览型号D1020UK的Datasheet PDF文件第4页浏览型号D1020UK的Datasheet PDF文件第5页浏览型号D1020UK的Datasheet PDF文件第6页 
TetraFET  
D1020UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
B
G
(typ)  
C
(2 pls)  
2
3
4
1
P
150W – 28V – 400MHz  
PUSH–PULL  
(2 pls)  
H
D
A
5
E
(4 pls)  
F
I
FEATURES  
• EXTRA LOW C  
rss  
N
M
O
J
K
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
DR  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 5  
SOURCE (COMMON)  
PIN 2  
PIN 4  
DRAIN 1  
GATE 2  
DRAIN 2  
GATE 1  
• LOW NOISE  
DIM Millimetres Tol.  
Inches  
0.75  
0.424  
45°  
Tol.  
A
B
C
D
E
F
19.05  
10.77  
45°  
9.78  
5.71  
27.94  
1.52R  
10.16  
22.22  
0.13  
0.50  
0.13  
5°  
0.020  
0.005  
5°  
• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
MAX  
0.02  
0.13  
0.13  
0.50  
0.13  
0.08  
0.385  
0.225  
1.100  
0.060R  
0.400  
0.875  
0.005  
0.107  
0.067  
0.200  
1.340  
0.062R  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
0.005  
MAX  
0.001  
0.005  
0.005  
0.020  
0.005  
0.003  
G
H
I
APPLICATIONS  
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 400 MHz  
J
K
M
N
O
P
2.72  
1.70  
5.08  
34.03  
1.57R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
389W  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage *  
Drain Current *  
70V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
20A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
* Per Side  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 11/00  

与D1020UK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D10214-55G3JC 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55G3JL 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D1021455G3PC 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55G3PC 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D1021455G3PL 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55G3PL 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55G3VC 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55G3VL 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55H3JC 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors
D10214-55H3JL 3M

获取价格

3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors