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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 70 V | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D1022 | SEME-LAB |
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METAL GATE RF SILICON FET |
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| D102201FP0-E3 | VISHAY |
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RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 2200ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP |
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| D102203FP0-E3 | VISHAY |
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RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.063W, 1%, 100ppm, 220000ohm, SURFACE MOUNT, 0402, CHIP |
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| D10220-55G3JC | 3M |
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3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D10220-55G3JL | 3M |
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3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D1022055G3PC | 3M |
获取价格 |
3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D10220-55G3PC | 3M |
获取价格 |
3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D1022055G3PL | 3M |
获取价格 |
3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D10220-55G3PL | 3M |
获取价格 |
3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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| D10220-55G3VC | 3M |
获取价格 |
3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
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