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CZTA27TRLEADFREE

更新时间： 2024-11-14 13:02:31

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CENTRAL		晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管高压
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2页	68K
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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CZTA27TRLEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

CZTA27TRLEADFREE 数据手册

Central

CZTA27

Semiconductor Corp.

NEW

NPN HIGH VOLTAGE

DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA27

type is a NPN Silicon Darlington Transistor

manufactured by the epitaxial planar process,

epoxy molded in a surface mount package,

designed for applications requiring extremely

high gain and high voltage.

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS (T =25°C)

UNITS

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CES

EBO

500

2.0

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T ,T

J stg

-65 to +150

62.5

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

=50V

=10V

100

500

100

CBO

CES

EBO

I =100mA

CBO

CES

I =100mA

I =100mA, I =0.1mA

1.5

2.0

CE(SAT)

BE(ON)

=5.0V, I =100mA

=5.0V, I =10mA

=5.0V, I =100mA

10,000

125

=5.0V, I =10mA, f=100MHz

MHz

408

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