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CZT900KTR

更新时间: 2024-11-14 21:18:39
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CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 2536K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

CZT900KTR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC PACKAGE-4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.92
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):900000JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHzBase Number Matches:1

CZT900KTR 数据手册

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