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CYS25G0101DX-AEXC PDF预览

CYS25G0101DX-AEXC

更新时间： 2024-02-21 02:56:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS ATM异步传输模式电信信息通信管理电信集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 384K
描述
Transceiver, 1-Func, BICMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-120

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CYS25G0101DX-AEXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：HTFQFP, TQFP120,.64SQ,16
针数：120Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：5A991.B.1HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.77
应用程序：SONETJESD-30 代码：S-PQFP-G120
JESD-609代码：e3长度：14 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：120最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HTFQFP封装等效代码：TQFP120,.64SQ,16
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
子类别：ATM/SONET/SDH ICs标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH TRANSCEIVER温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.4 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

CYS25G0101DX-AEXC 数据手册

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CYS25G0101DX  
Latch up Current ....................................................> 200 mA  
Maximum Ratings  
Power Up Requirements  
Exceeding maximum ratings may shorten the useful life of the  
device. User guidelines are not tested.  
Power supply sequencing is not required if you are configuring  
VDDQ = 3.3 V and all power supplies pins are connected to the  
same 3.3 V power supply.  
Storage Temperature ............................... –65 °C to +150 °C  
Ambient Temperature with  
Power supply sequencing is required if you are configuring  
VDDQ = 1.5 V. Power is applied in the following sequence: VCC  
(3.3) followed by VDDQ (1.5). Power supply ramping may occur  
simultaneously as long as the VCC/VDDQ relationship is  
maintained.  
Power Applied ......................................... –55 °C to +125 °C  
VCC Supply Voltage to Ground Potential .....–0.5 V to +4.2 V  
VDDQ Supply Voltage to Ground Potential ...–0.5 V to +4.2 V  
DC Voltage Applied to HSTL Outputs  
in High Z State ..................................–0.5 V to VDDQ + 0.5 V  
Operating Range  
DC Voltage Applied to Other Outputs  
in High Z State ....................................–0.5 V to VCC + 0.5 V  
Ambient  
Range  
VDDQ  
VCC  
Temperature  
Output Current into LVTTL Outputs (LOW) ................ 30 mA  
DC Input Voltage ................................ –0.5 V to VCC + 0.5 V  
Commercial  
Industrial  
0 °C to +70 °C 1.4 V to 1.6 V [5] 3.3 V ± 10%  
–40 °C to +85 °C 1.4 V to 1.6 V [5] 3.3 V ± 10%  
Static Discharge Voltage  
(MIL-STD-883, Method 3015) ................................. > 1100 V  
DC Specifications  
LVTTL  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
LVTTL Outputs  
VOHT  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
VCC = Min, IOH = –10.0 mA  
2.4  
–
–
V
V
VOLT  
VCC = Min, IOL = 10.0 mA  
VOUT = 0 V  
0.4  
–90  
IOS  
Output Short Circuit Current  
–20  
mA  
LVTTL Inputs  
VIHT  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
Input HIGH Current  
Input LOW Current  
Low = 2.1 V, High = VCC + 0.5 V  
Low = –3.0 V, High = 0.8  
VCC = Max, VIN = VCC  
2.1  
–0.3  
–
VCC – 0.3  
0.8  
V
V
VILT  
IIHT  
50  
A  
A  
IILT  
VCC = Max, VIN = 0 V  
–
–50  
Capacitance  
CIN  
Input Capacitance  
VCC = Max, at f = 1 MHz  
–
5
pF  
DC Specifications  
Power  
Parameter  
Power  
Description  
Test Conditions  
Typ  
Max  
Unit  
ICC1  
ISB  
Active Power Supply Current  
Standby Current  
300  
–
347  
5
mA  
mA  
Note  
5.  
V
equals V if interfacing to a parallel LVPECL interface.  
DDQ CC  
Document Number: 38-02009 Rev. *O  
Page 10 of 22  
 
1...78910111213...22

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