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CYK128K16MCCBU-70BVIT

更新时间： 2024-02-06 09:41:13
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
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CYK128K16MCCBU-70BVIT 数据手册

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CYK128K16MCCB  
Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA  
Maximum Ratings  
Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-up Current.....................................................> 200 mA  
Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C  
Operating Range  
Ambient Temperature with  
Power Applied............................................–55°C to + 125°C  
Ambient  
Temperature  
Supply Voltage to Ground Potential................. –0.4V to 4.6V  
Device  
Range  
VCC  
DC Voltage Applied to Outputs  
CYK128K16MCCB Industrial –25°C to +85°C 2.70V to  
3.30V  
in High-Z State[6, 7, 8]........................................ –0.4V to 3.7V  
DC Input Voltage[6, 7, 8] .................................... –0.4V to 3.7V  
Electrical Characteristics (Over the Operating Range)  
CYK128K16MCCB-55 CYK128K16MCCB-70  
Min. Typ.[5] Max. Min. Typ.[5] Max. Unit  
Parameter  
VCC  
Description  
Test Conditions  
Supply Voltage  
2.7  
3.0  
3.3  
2.7  
3.0  
3.3  
V
V
VOH  
Output HIGH Voltage IOH = –0.1 mA  
VCC = 2.70V VCC  
0.4  
–
VCC  
0.4  
–
VOL  
VIH  
Output LOW Voltage IOL = 0.1 mA  
VCC = 2.70V  
0.4  
0.4  
V
V
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
VCC= 2.7V to 3.3V  
0.8 *  
VCC  
VCC 0.8 *  
+ 0.4V VCC  
VCC  
+ 0.4V  
VIL  
IIX  
–0.4  
–1  
0.4  
+1  
+1  
–0.4  
–1  
0.4  
+1  
+1  
V
Input Leakage Current GND < VIN < VCC  
µA  
µA  
IOZ  
Output Leakage  
Current  
GND < VOUT < VCC, Output Disabled  
–1  
–1  
ICC  
VCC Operating Supply f = fMAX = 1/tRC  
VCC = VCCmax  
IOUT = 0 mA  
CMOS levels  
14  
1
22  
5
8
1
15  
5
mA  
mA  
Current  
f = 1 MHz  
ISB1  
Automatic CE  
Power-Down Current VIN > VCC – 0.2V, VIN  
—CMOS Inputs  
CE > VCC − 0.2V  
0.2V) f = fMAX (Address  
and Data Only), f = 0  
(OE, WE, BHEandBLE),  
VCC = 3.3V  
40  
250  
40  
40  
250  
40  
µA  
µA  
<
VCC = 3.30V  
ISB2  
Automatic CE  
Power-Down Current VIN > VCC – 0.2V or VIN  
CE > VCC – 0.2V  
VCC = 3.3V  
9
9
<
—CMOS Inputs 0.2V, f = 0, VCC = 3.30V  
Capacitance[9]  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
Max.  
Unit  
pF  
CIN  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = VCC(typ)  
8
8
COUT  
pF  
Thermal Resistance[9]  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
BGA  
Unit  
ΘJA  
Thermal Resistance  
(Junction to Ambient)  
Test conditions follow standard test methods and  
procedures for measuring thermal impedance, per EIA  
/ JESD51.  
55  
°C/W  
ΘJC  
Thermal Resistance  
(Junction to Case)  
17  
°C/W  
Notes:  
6. V  
7. V  
= –0.5V for pulse durations less than 20 ns.  
IL(MIN)  
= V + 0.5V for pulse durations less than 20 ns.  
IH(Max)  
CC  
8. Overshoot and undershoot specifications are characterized and are not 100% tested.  
9. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
Document #: 38-05584 Rev. *C  
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