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CY93C08-ZXI PDF预览

CY93C08-ZXI

更新时间： 2024-11-27 19:52:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 646K
描述
EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8

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CY93C08-ZXI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：TSSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.84备用内存宽度：16
最大时钟频率 (fCLK)：4 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.4 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

CY93C08-ZXI 数据手册

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CY93C01/02/04/08/16  
1 Kbit, 2 Kbit, 4 Kbit, 8 Kbit, and 16 Kbit  
(x8 or x16) MicroWire Serial EEPROM  
Features  
Functional Description  
■ Continuous voltage operation  
❐ VCC = 1.65V to 5.5V  
The CY93C01/02/04/08/16 provides 1K, 2K, 4K, 8K, and 16K  
bits of serial Electrically Erasable and Programmable Read Only  
Memory (EEPROM). The memory is organized as x16 when the  
ORG pin is connected to VCC and as x8 when it is tied to ground.  
The device is optimized for use in many industrial applications,  
where low power and low voltage operations are essential. The  
CY93C01/02/04/08/16 is available in space saving 8-Pin SOIC,  
and 8-Pin TSSOP packages. The CY93C01/02/04/08/16 is  
■ Internally organized as x8 or x16  
■ Industry standard three wire serial interface  
■ Schmitt trigger, filtered inputs for noise suppression  
■ Programming instructions that work on byte, word, or entire  
enabled through the Chip Select pin (CS), and accessed through  
a three wire serial interface consisting of Data Input (DI), Data  
Output (DO), and Serial Clock (SK). On receiving a read  
instruction at DI, the address is decoded and the data is clocked  
out serially on the data output pin DO. The write cycle is  
completely self timed and no separate erase cycle is required  
before write. The write cycle is enabled only when the part is in  
the erase or write enable state. When CS is brought high  
following the initiation of a write cycle, the DO pin outputs the  
Ready/Busy status of the part. The CY93C01/02/04/08/16 is  
available in a 1.65V to 5.5V version.  
memory  
■ Sequential read operation  
■ 4 MHz clock rate (5V) compatibility  
■ Self timed write cycle (5 ms max)  
■ Ready/Busy signal during programming  
■ Industrial temperature range  
■ High reliability  
❐ Endurance: 1 million write cycles  
❐ Data retention: 100 years  
■ RoHS compliant 8-Pin SOIC and 8-Pin TSSOP packages  
■ Pb-free and RoHS compliant  
Logic Block Diagram  
VCC  
CS  
DO  
ORG  
CY93CXX  
DI  
SK  
VSS  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-15635 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 05, 2009  
[+] Feedback  
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与CY93C08-ZXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY93C16-SXI CYPRESS

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 		EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CY93C16-SXIT CYPRESS

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 		EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CY93C16-ZXI CYPRESS

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 		EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
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 		EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
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