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CY93C16-SXI

更新时间： 2024-11-24 19:52:31

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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16页	646K
描述
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8

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CY93C16-SXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
备用内存宽度：	16	最大时钟频率 (fCLK)：	4 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.889 mm	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.727 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	3.8989 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

CY93C16-SXI 数据手册

CY93C01/02/04/08/16

1 Kbit, 2 Kbit, 4 Kbit, 8 Kbit, and 16 Kbit

(x8 or x16) MicroWire Serial EEPROM

Features

Functional Description

■ Continuous voltage operation

❐ V_CC= 1.65V to 5.5V

The CY93C01/02/04/08/16 provides 1K, 2K, 4K, 8K, and 16K

bits of serial Electrically Erasable and Programmable Read Only

Memory (EEPROM). The memory is organized as x16 when the

ORG pin is connected to V_CCand as x8 when it is tied to ground.

The device is optimized for use in many industrial applications,

where low power and low voltage operations are essential. The

CY93C01/02/04/08/16 is available in space saving 8-Pin SOIC,

and 8-Pin TSSOP packages. The CY93C01/02/04/08/16 is

■ Internally organized as x8 or x16

■ Industry standard three wire serial interface

■ Schmitt trigger, filtered inputs for noise suppression

■ Programming instructions that work on byte, word, or entire

enabled through the Chip Select pin (CS), and accessed through

a three wire serial interface consisting of Data Input (DI), Data

Output (DO), and Serial Clock (SK). On receiving a read

instruction at DI, the address is decoded and the data is clocked

out serially on the data output pin DO. The write cycle is

completely self timed and no separate erase cycle is required

before write. The write cycle is enabled only when the part is in

the erase or write enable state. When CS is brought high

following the initiation of a write cycle, the DO pin outputs the

Ready/Busy status of the part. The CY93C01/02/04/08/16 is

available in a 1.65V to 5.5V version.

memory

■ Sequential read operation

■ 4 MHz clock rate (5V) compatibility

■ Self timed write cycle (5 ms max)

■ Ready/Busy signal during programming

■ Industrial temperature range

■ High reliability

❐ Endurance: 1 million write cycles

❐ Data retention: 100 years

■ RoHS compliant 8-Pin SOIC and 8-Pin TSSOP packages

■ Pb-free and RoHS compliant

Logic Block Diagram

V_CC

ORG

CY93CXX

V_SS

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-15635 Rev. *C

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised February 05, 2009

[+] Feedback

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与CY93C16-SXI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY93C16-SXIT	CYPRESS	获取价格	EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CY93C16-ZXI	CYPRESS	获取价格	EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
CY93C16-ZXIT	CYPRESS	获取价格	EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
CY93L422ADC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22
CY93L422ADC	ROCHESTER	获取价格	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22
CY93L422ADM	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256X4, 55ns, CMOS, CDIP22
CY93L422ADMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256X4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22
CY93L422ALC	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY93L422ALMB	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY93L422APC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256X4, 45ns, CMOS, PDIP22, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-22

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