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Datasheet > 暂无类别数据> CY7C4265-10AXI
CY7C4265-10AXI PDF预览

CY7C4265-10AXI

更新时间： 2024-02-15 18:06:18
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路先进先出芯片时钟
页数 文件大小 规格书
22页 542K
描述
8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs

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CY7C4265-10AXI 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ,针数：68
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.82
最长访问时间：8 ns其他特性：RETRANSMIT
周期时间：10 nsJESD-30 代码：S-PQCC-J68
长度：24.2316 mm内存密度：294912 bit
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：68字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16KX18输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD宽度：24.2316 mm

CY7C4265-10AXI 数据手册

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CY7C4255  
CY7C4265  
Maximum Ratings[1]  
Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA  
Static Discharge Voltage............................................>2001V  
(per MIL–STD–883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-Up Current.....................................................>200 mA  
Storage Temperature ................................–65°C to +150°C  
Ambient Temperature with Power Applied.–55°C to +125°C  
Supply Voltage to Ground Potential............... –0.5V to +7.0V  
Operating Range[2]  
Ambient  
Range  
Commercial  
Industrial[3]  
Temperature  
0°C to +70°C  
–40°C to +85°C  
VCC  
DC Voltage Applied to Outputs  
in High Z State ............................................... –0.5V to +7.0V  
5V ± 10%  
5V ± 10%  
DC Input Voltage ..........................................−0.5V to VCC+0.5V  
Electrical Characteristics Over the Operating Range[3]  
7C42X5-10 7C42X5-15 7C42X5-25 7C42X5-35  
Parameter  
Description  
Output HIGH Voltage VCC = Min.,  
OH = –2.0 mA  
VCC = Min.,  
OL = 8.0 mA  
Test Conditions  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit  
VOH  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
V
I
VOL  
Output LOW Voltage  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
V
I
[4]  
VIH  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
2.0  
–0.5  
–10  
VCC  
0.8  
2.0  
–0.5  
–10  
VCC  
0.8  
2.0  
–0.5  
–10  
VCC  
0.8  
2.0  
–0.5  
–10  
VCC  
0.8  
V
V
[4]  
VIL  
IIX  
Input Leakage  
Current  
VCC = Max.  
OE > VIH,  
+10  
+10  
+10  
+10  
µA  
IOZL  
IOZH  
Output OFF,  
High Z Current  
–10  
+10  
–10  
+10  
–10  
+10  
–10  
+10  
µA  
VSS < VO < VCC  
[5]  
ICC1  
Active Power Supply  
Current  
Com’l  
45  
50  
10  
15  
45  
50  
10  
15  
45  
50  
10  
15  
45  
50  
10  
15  
mA  
mA  
mA  
mA  
Ind  
[6]  
ICC2  
Average Standby  
Current  
Com’l  
Ind  
Capacitance[7, 8]  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
Max.  
Unit  
CIN  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
VCC = 5.0V  
5
7
pF  
pF  
COUT  
Notes:  
1. The Voltage on any input or I/O pin cannot exceed the power pin during power-up.  
2. T is the “Instant On” case temperature.  
A
3. See the last page of this specification for Group A subgroup testing information.  
4. The V and V specifications apply for all inputs except WXI, RXI. The WXI, RXI pin is not a TTL input. It is connected to either RXO, WXO of the previous device  
IH  
SS  
IL  
or V  
.
5. Input signals switch from 0V to 3V with a rise/fall time of less than 3 ns, clocks and clock enables switch at 20 MHz, while data inputs switch at 10 MHz. Outputs  
are unloaded. I 1(typical) = (25 mA + (freq – 20 MHz) * (1.0 mA/MHz)).  
CC  
6. All inputs = V – 0.2V, except RCLK and WCLK (which are switching at frequency = 20 MHz), and FL/RT which is at V . All outputs are unloaded.  
CC  
SS  
7. Tested initially and after any design changes that may affect these parameters.  
8. Tested initially and after any process changes that may affect these parameters.  
Document #: 38-06004 Rev. *C  
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CY7C4265-10AXI 替代型号

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