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Datasheet > 存储 > OTP ROM> CY7C235A-18DC
CY7C235A-18DC PDF预览

CY7C235A-18DC

更新时间： 2024-11-24 04:38:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
1K x 8 Registered PROM

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CY7C235A-18DC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP24,.3针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.71
最长访问时间：12 ns其他特性：PROGRAMMABLE ASYNCHRONOUS REGISTERS
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T24
长度：31.877 mm内存密度：8192 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：24
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP24,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：12.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.09 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

CY7C235A-18DC 数据手册

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1CY7C235A  
CY7C235A  
1K x 8 Registered PROM  
• Direct replacement for bipolar PROMs  
Features  
• Capable of withstanding greater than 2001V static dis-  
charge  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
Functional Description  
— 18 ns address set-up  
— 12 ns clock to output  
The CY7C235A is a high-performance 1024 word by 8 bit elec-  
trically programmable read only memory packaged in a slim  
300-mil plastic or hermetic DIP, 28-pin leadless chip carrier, or  
28-pin plastic leaded chip carrier. The memory cells utilize  
proven EPROM floating gate technology and byte-wide intelli-  
gent programming algorithms.  
• Low power  
— 495 mW (commercial)  
— 660 mW (military)  
• Synchronous and asynchronous output enables  
• On-chip edge-triggered registers  
• Programmable asynchronous registers (INIT)  
• EPROM technology, 100% programmable  
The CY7C235A replaces bipolar devices pin for pin and offers  
the advantages of lower power, superior performance, and  
high programming yield. The EPROM cell requires only 12.5V  
for the supervoltage, and low current requirements allow for  
gang programming. The EPROM cells allow for each memory  
location to be tested 100%, as each location is written into,  
erased, and repeatedly exercised prior to encapsulation. Each  
PROM is also tested for AC performance to guarantee that the  
product will meet AC specification limits after customer pro-  
gramming.  
• Slim, 300-mil, 24-pin plastic or hermetic DIP or 28-pin  
LCC and PLCC  
• 5V ±10% V , commercial and military  
CC  
• TTL-compatible I/O  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
DIP  
Top View  
INIT  
1
2
3
4
5
6
24  
23  
22  
21  
V
A
A
6
CC  
7
O
A
8
7
A
A
9
5
A
9
A
4
E
INIT  
E
S
O
6
20  
19  
A
3
A
8
PROGRAMMABLE  
ARRAY  
ROW  
MULTIPLEXER  
A
2
ADDRESS  
A
7
A
1
O
5
7
8
9
10  
11  
12  
18  
17  
16  
CP  
O
7
O
6
O
5
A
0
8-BIT  
A
6
EDGE-  
O
O
4
0
A
5
TRIGGERED  
REGISTER  
ADDRESS  
DECODER  
O
1
15  
14  
13  
O
O
4
A
4
2
O
3
GND  
O
3
A
3
C235A-2  
A
2
O
2
COLUMN  
ADDRESS  
LCC/PLCC  
Top View  
A
1
O
1
A
0
O
0
CP  
3 2 1 2827  
4
26  
E
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A
4
3
5
CP  
INIT  
A
6
E
A
S
2
7
CP  
NC  
A
1
8
A
0
9
E
S
NC  
O
C235A-1  
7
10  
O
O
6
11  
0
131415161718  
12  
E
C235A-3  
Selection Guide  
7C235A-18  
7C235A-25  
7C235A-30  
7C235A-40  
Minimum Address Set-Up Time (ns)  
Maximum Clock to Output (ns)  
18  
12  
90  
25  
12  
30  
15  
40  
20  
Maximum Operating  
Current (mA)  
Commercial  
Military  
90  
90  
90  
120  
120  
120  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
November 1992 – Revised March 1995  
1234567...9

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与CY7C235A-18DC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C235A-18DI CYPRESS

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 		OTP ROM, 1KX8, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24
CY7C235A-18JC CYPRESS

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 		1K x 8 Registered PROM
CY7C235A-18JCR CYPRESS

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