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CY7C199-45VCT

更新时间: 2024-12-01 14:33:11
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 513K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28

CY7C199-45VCT 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.6最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDSO-J28
长度:17.907 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:3.556 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

CY7C199-45VCT 数据手册

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