是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.35 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.907 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.155 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C199B-15ZC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-15ZI | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20DMB | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20LMB | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20PC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20VC | CYPRESS |
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CY7C199B-20VI | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20ZC | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-20ZI | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM | |
CY7C199B-25DMB | CYPRESS |
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32K x 8 Static RAM |