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CY7C157-24LMB

更新时间: 2024-11-05 21:12:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 140K
描述
Cache SRAM, 16KX16, 24ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

CY7C157-24LMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:LCC-52针数:52
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
最长访问时间:24 ns其他特性:SELF-TIMED WRITE
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-CQCC-N52
JESD-609代码:e0长度:19.0627 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:52
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC52,.75SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:2.54 mm最大待机电流:0.3 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.3 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.0627 mmBase Number Matches:1

CY7C157-24LMB 数据手册

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