是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | LCC-52 | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 33 ns | 其他特性: | SELF-TIMED WRITE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQCC-N52 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.0627 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 52 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC52,.75SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 2.54 mm | 最大待机电流: | 0.3 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 19.0627 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1576KV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-400BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-400BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-400BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-400BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-450BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-450BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-450BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-450BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1576KV18-500BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |