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CY7C1510AV18-200BZXC

更新时间： 2024-02-28 06:05:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
26页 1098K
描述
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

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CY7C1510AV18-200BZXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：0.45 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：17 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：QDR SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.38 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：1.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

CY7C1510AV18-200BZXC 数据手册

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CY7C1510AV18  
CY7C1525AV18  
CY7C1512AV18  
CY7C1514AV18  
PRELIMINARY  
Pin Configurations[1]  
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout  
CY7C1510AV18 (8M x 8)  
2
A
3
A
8
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q3  
D3  
NC  
4
WPS  
A
5
NWS1  
NC/288M  
A
6
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NC  
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RPS  
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VSS  
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A
VSS  
A
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N
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C
A
A
A
A
A
A
A
A
A
TDO  
TCK  
A
TMS  
TDI  
R
C
CY7C1525AV18 (8M x 9)  
1
2
A
3
A
4
WPS  
A
5
NC  
6
K
7
NC/144M  
BWS0  
A
8
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A
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A
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CQ  
Q4  
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NC  
NC  
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RPS  
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VSS  
VSS  
VSS  
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VSS  
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NC  
NC  
D3  
NC  
Q3  
NC  
NC  
ZQ  
D2  
NC  
Q1  
E
F
Q6  
NC  
NC  
G
H
J
VREF  
NC  
NC  
Q7  
VDDQ  
NC  
VDDQ  
NC  
VREF  
Q2  
DOFF  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
K
L
D7  
NC  
NC  
NC  
D8  
NC  
NC  
NC  
Q8  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
D0  
D1  
NC  
Q0  
M
N
P
C
A
A
A
A
A
A
A
A
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TDO  
TCK  
A
TMS  
TDI  
R
C
Note:  
1. V /144M and V /288M are not connected to the die and can be tied to any voltage level.  
SS  
SS  
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CY7C1510AV18-200BZXI CYPRESS 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur

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