是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 6.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 75497472 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1481BV33 | CYPRESS |
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72-Mbit (2 M Ã 36) Flow-Through SRAM | |
CY7C1481BV33-133AXI | CYPRESS |
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Cache SRAM, 2MX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
CY7C1481BV33-133AXI | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1481BV33-133BGXI | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1481BV33-133BZI | CYPRESS |
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Cache SRAM, 2MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | |
CY7C1481V25 | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM | |
CY7C1481V25-100AXC | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM | |
CY7C1481V25-100AXI | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM | |
CY7C1481V25-100BZC | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM | |
CY7C1481V25-100BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |