是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 4.2 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.4 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.35 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1360V25-166BAC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-166BGC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-200AC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1360V25-200BAC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119 | |
CY7C136-15JC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-15JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-15NC | CYPRESS |
获取价格 |
2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-15NCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 | |
CY7C1361A | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM | |
CY7C1361A-100AC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |