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CY7C1360V25-200BAC

更新时间: 2024-11-27 14:48:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 1850K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119

CY7C1360V25-200BAC 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:FBGA-119针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
Is Samacsys:N最长访问时间:3.1 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:119
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA119(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:2.38 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.45 mA
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

CY7C1360V25-200BAC 数据手册

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