是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | FBGA-119 | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 3.1 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119(UNSPEC) |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.45 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C136-15JC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-15JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-15NC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-15NCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 | |
CY7C1361A | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM | |
CY7C1361A-100AC | CYPRESS |
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256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM | |
CY7C1361A-100AC | ROCHESTER |
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256KX36 STANDARD SRAM, 9ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1361A-100ACT | ROCHESTER |
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256KX36 STANDARD SRAM, 8ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1361A-100ACT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1361A-100AI | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-Thru Burst SRAM |