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CY7C1360V25-100BAC

更新时间: 2024-11-27 15:30:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 1850K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119

CY7C1360V25-100BAC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:FBGA-119针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
最长访问时间:5 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:119字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:2.38 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.325 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

CY7C1360V25-100BAC 数据手册

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