是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | FBGA-119 | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 5 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119(UNSPEC) | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 2.38 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.325 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1360V25-100BGC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-133AC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1360V25-133BAC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-133BGC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-166BAC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-166BGC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119 | |
CY7C1360V25-200AC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1360V25-200BAC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119 | |
CY7C136-15JC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-15JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |