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CY7C1328G-200AXC PDF预览

CY7C1328G-200AXC

更新时间： 2024-11-29 02:56:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 377K
描述
4-Mbit (256K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

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CY7C1328G-200AXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最长访问时间：2.8 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.04 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.265 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

CY7C1328G-200AXC 数据手册

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CY7C1328G  
4-Mbit (256K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Registered inputs and outputs for pipelined operation  
• Optimal for performance (Double-Cycle deselect)  
— Depth expansion without wait state  
The CY7C1328G SRAM integrates 256K x 18 SRAM cells with  
advanced synchronous peripheral circuitry and a two-bit  
counter for internal burst operation. All synchronous inputs are  
gated by registers controlled by a positive-edge-triggered  
Clock Input (CLK). The synchronous inputs include all  
addresses, all data inputs, address-pipelining Chip Enable  
(CE1), depth-expansion Chip Enables (CE2 and CE3), Burst  
• 256K × 18 common I/O architecture  
• 3.3V core power supply (VDD  
)
• 3.3V/2.5V I/O power supply (VDDQ  
)
Control inputs (ADSC, ADSP,  
(BW[A:B], and BWE), and Global Write (GW). Asynchronous  
inputs include the Output Enable (OE) and the ZZ pin.  
ADV), Write Enables  
and  
• Fast clock-to-output times  
— 2.6 ns (for 250-MHz device)  
Addresses and chip enables are registered at rising edge of  
clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or  
Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent  
burst addresses can be internally generated as controlled by  
the Advance pin (ADV).  
• Provide high-performance 3-1-1-1 access rate  
• User-selectable burst counter supporting Intel®  
Pentium® interleaved or linear burst sequences  
• Separate processor and controller address strobes  
• Synchronous self-timed writes  
Address, data inputs, and write controls are registered on-chip  
to initiate a self-timed Write cycle.This part supports Byte Write  
operations (see Pin Descriptions and Truth Table for further  
details). Write cycles can be one to two bytes wide as  
controlled by the byte write control inputs. GW active LOW  
causes all bytes to be written. This device incorporates an  
additional pipelined enable register which delays turning off  
the output buffers an additional cycle when a deselect is  
executed.This feature allows depth expansion without penal-  
izing system performance.  
• Asynchronous Output Enable  
• Available in lead-free 100-Pin TQFP package  
• “ZZ” Sleep Mode option  
The CY7C1328G operates from a +3.3V core power supply  
while all outputs operate with a +3.3V or a +2.5V supply. All  
inputs and outputs are JEDEC-standard JESD8-5-compatible.  
Selection Guide  
250 MHz  
200 MHz  
2.8  
167 MHz  
3.5  
133 MHz  
4.0  
Unit  
ns  
Maximum Access Time  
2.6  
325  
40  
Maximum Operating Current  
Maximum CMOS Standby Current  
265  
240  
225  
mA  
mA  
40  
40  
40  
Note:  
1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note System Design Guidelines on www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05523 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 5, 2006  
[+] Feedback  
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与CY7C1328G-200AXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1328G-200AXCT CYPRESS

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 		Cache SRAM, 256KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026,
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