是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, DIP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 61.976 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.334 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C132-30PI | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C132-35DC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C132-35DI | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C132-35DMB | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C132-35FMB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C132-35LC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
CY7C132-35LMB | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48 | |
CY7C132-35PC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C132-35PI | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C1323AV25 | CYPRESS |
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18-Mbit 4-Word Burst SRAM with DDR-I Architecture |