是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 17 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.32 A | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.33 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1261V18-400BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1262XV18 | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Two-Word Burst A | |
CY7C1262XV18-366BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
CY7C1262XV18-366BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM | |
CY7C1262XV18-450BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | |
CY7C1262XV18-450BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM | |
CY7C12631KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1263KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) | |
CY7C1263KV18_12 | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archite | |
CY7C1263KV18-400BZC | CYPRESS |
获取价格 |
36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |