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CY7C1170V18-400BZXC

更新时间： 2024-11-07 15:30:15

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	1327K
描述
512KX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

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CY7C1170V18-400BZXC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	15 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1170V18-400BZXI	CYPRESS	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, F
CY7C11761KV18	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176KV18	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176V18	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-300BZC	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-300BZI	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-300BZXC	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-300BZXI	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-333BZC	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu
CY7C1176V18-333BZI	CYPRESS	获取价格	18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu