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CY7C109-25DMB

更新时间： 2024-11-26 20:13:55

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	481K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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CY7C109-25DMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.17	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	40.4622 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C109-25PC	ETC	获取价格	x8 SRAM
CY7C109-25VC	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C109-25VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
CY7C109-25VI	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C109-25ZC	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C109-25ZCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32
CY7C109-25ZI	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C109-35DC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
CY7C109-35DMB	ETC	获取价格	x8 SRAM
CY7C109-35PC	ETC	获取价格	x8 SRAM