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CY7C1049B-20VI

更新时间: 2024-11-06 20:32:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 814K
描述
512KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36

CY7C1049B-20VI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:36
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J36JESD-609代码:e0
长度:23.495 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):220认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:3.683 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1049B-20VI 数据手册

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