CY7C1019BN-12ZXCT

更新时间： 2024-01-16 08:26:56

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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CY7C1019BN

Selection Guide

7C1019BN-12

7C1019BN-15

Unit

Maximum Access Time

140

130

Maximum Operating Current

Maximum Standby Current

Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA

Maximum Ratings

Static Discharge Voltage............................................>2001V

(per MIL-STD-883, Method 3015)

(Above which the useful life may be impaired. For user guide-

lines, not tested.)

Latch-Up Current.....................................................>200 mA

Storage Temperature .................................–65°C to +150°C

Ambient Temperature with

Power Applied.............................................–55°C to +125°C

Operating Range

Ambient

Supply Voltage on V_CCto Relative GND^[1].... –0.5V to +7.0V

Range

Commercial

Industrial

Temperature^[2]

0°C to +70°C

V_CC

DC Voltage Applied to Outputs

5V ± 10%

in High Z State^[1]....................................–0.5V to V_CC+ 0.5V

–40°C to +85°C

DC Input Voltage^[1].................................–0.5V to V_CC+ 0.5V

Electrical Characteristics Over the Operating Range

-12

Min.

-15

Min.

Parameter

V_OH

Description

Test Conditions

Max.

Unit

Output HIGH Voltage V_CC= Min., I_OH= – 4.0 mA

Output LOW Voltage V_CC= Min., I_OL= 8.0 mA

Input HIGH Voltage

2.4

V_OL

0.4

V_IH

2.2

–0.3

–1

V_CC+ 0.3

0.8

2.2

–0.3

–1

V_CC+ 0.3

0.8

V_IL

Input LOW Voltage^[1]

I_IX

Input Leakage

Current

GND < V_I< V_CC

µA

I_OZ

Output Leakage

Current

GND < V_I< V_CC

Output Disabled

–5

µA

I_CC

I_SB1

V_CCOperating

Supply Current

V_CC= Max., I_OUT= 0 mA,

f = f_MAX= 1/t_RC

140

130

Automatic CE

Power-Down Current V_IN> V_IHor

—TTL Inputs

Max. V_CC, CE > V_IH

V_IN< V_IL, f = f_MAX

I_SB2

Automatic CE

Power-Down Current CE > V_CC– 0.3V,

—CMOS Inputs

Max. V_CC

V_IN> V_CC– 0.3V,

or V_IN< 0.3V, f = 0

Capacitance^[3]

Parameter

Description

Test Conditions

Max.

Unit

C_IN

Input Capacitance

Output Capacitance

T_A= 25°C, f = 1 MHz,

V_CC= 5.0V

C_OUT

Notes:

1. V (min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.

2. T is the “Instant On” case temperature.

3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

Document #: 001-06425 Rev. **

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