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CY7C09369V-9AI

更新时间: 2024-02-15 12:25:25
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
19页 348K
描述
3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM

CY7C09369V-9AI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-026, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.62
Is Samacsys:N最长访问时间:9 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):67 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQFP-G100
JESD-609代码:e4长度:14 mm
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:2
端子数量:100字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFQFP
封装等效代码:QFP100,.63SQ,20封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.00025 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.23 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

CY7C09369V-9AI 数据手册

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CY7C09269V/79V/89V  
CY7C09369V/79V/89V  
AC Test Loads  
3.3V  
3.3V  
R
TH  
= 250Ω  
R1 = 590Ω  
OUTPUT  
C = 30 pF  
OUTPUT  
R1 = 590Ω  
OUTPUT  
C = 5 pF  
C = 30 pF  
R2 = 435Ω  
R2 = 435Ω  
V
TH  
= 1.4V  
(a) Normal Load (Load 1)  
(c) Three-State Delay(Load 2)  
(b) Thévenin Equivalent (Load 1)  
(Used for tCKLZ, tOLZ, & tOHZ  
including scope and jig)  
AC Test Loads (Applicable to -6 and -7 only)[13]  
ALL INPUTPULSES  
90%  
Z0 = 50  
R = 50Ω  
OUTPUT  
3.0V  
GND  
90%  
10%  
C
10%  
3 ns  
3 ns  
V
TH  
= 1.4V  
(a) Load 1 (-6 and -7 only)  
0.60  
0.50  
0.40  
0.30  
0.20  
0. 1 0  
0.00  
1 0  
1 5  
20  
25  
30  
35  
Capacitance (pF)  
(b) Load Derating Curve  
Note:  
13. Test Conditions: C = 10 pF.  
Document #: 38-06056 Rev. **  
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