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CY7C09369V-9AC

更新时间： 2024-02-10 21:22:16

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罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	1231K
描述
16KX18 DUAL-PORT SRAM, 9ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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CY7C09369V-9AC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	PLASTIC, MS-026, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.62	最长访问时间：	9 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	67 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	14 mm
内存密度：	294912 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	100	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP100,.63SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.00025 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

CY7C09369V-9AC 数据手册

CY7C09269V/79V/89V

CY7C09369V/79V/89V

Figure 3. AC Test Loads and Waveforms

3.3V

= 250Ω

R1 = 590Ω

OUTPUT

C = 30 pF

OUTPUT

C = 30 pF

R1 = 590Ω

OUTPUT

C = 5 pF

R2 = 435Ω

= 1.4V

(a) Normal Load (Load 1)

(b) Thévenin Equivalent (Load 1)

(Used for t_CKLZ, t_OLZ, and t_OHZ

including scope and jig)

[14]

Figure 4. AC Test Loads (Applicable to -6 and -7 only)

ALL INPUTPULSES

Z = 50

R = 50Ω

OUTPUT

3.0V

GND

90%

10%

3 ns

≤

= 1.4V

≤

(a) Load 1 (-6 and -7 only)

0.60

0.50

0.40

0.30

0.20

0.1 0

0.00

1 0

1 5

Capacitance (pF)

(b) Load Derating Curve

Note

14. Test Conditions: C = 10 pF.

Document #: 38-06056 Rev. *C

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CY7C09369V-9ACT	CYPRESS	Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100	获取价格
CY7C09369V-9AI	CYPRESS	3.3V 16K/32K/64K x 16/18 Synchronous Dual-Port Static RAM	获取价格
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