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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-84 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | INTERRUPT FLAG |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J84 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 29.3116 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 29.3116 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C024-25JCR | CYPRESS |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
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| CY7C024-25JCT | ROCHESTER |
获取价格 |
4KX16 DUAL-PORT SRAM, 25ns, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
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| CY7C024-25JI | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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| CY7C024-25JXC | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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| CY7C024-25JXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-84 |
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| CY7C024-25JXI | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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| CY7C024-35AC | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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| CY7C024-35ACT | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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| CY7C024-35AI | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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| CY7C024-35AXC | CYPRESS |
获取价格 |
4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY |
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